040916_05
ヘテロ接合FET 
松下電器は超低雑音特性による高い信号品質を10―30Ｇヘルツの準ミリ波帯で実現した業界初の窒化ガリウム（ＧａＮ）系ヘテロ接合ＦＥＴを開発した。 ＧａＮ系電子デバイスを準ミリ波帯受信用低雑音トランジスターで実用化するメドをつけた。独自の超格子コンタクト層、リセス構造Ｔ型ゲートを採用し、トランジスター寄生抵抗を抑え、世界最高の高周波特性を得た。ＳｉＣ基板の10分の1の低コストのサファイア基板が使えた。オフィスや家庭内の高速無線ＬＡＮ、無線アクセス、ＡＶ機器などの情報家電やＰＣなどを接続する無線ホームリンクを実現するウルトラワイドバンド（ＵＷＢ）通信などの準ミリ波帯通信機器向けの供給を目指す。 開発したＧａＮ系へテロ接合ＦＥＴは、電極とチャネルの間に厚さ3ｎｍの窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）薄膜とＧａＮ薄膜を交互に7.5周期積層した厚さ70ｎｍ超格子コンタクト層を形成し、超格子コンタクト層の上部に形成する電極から下部に形成するトランジスターのチャンネル部分へのコンタクト抵抗を従来の3分の1の0.4Ωミリに低減。ＦＥＴに流れる電流密度を3倍にした。 また、ゲート直下の超格子コンタクト層だけをｎ―ＡｌＧａＮ層（ショットキー層）表面まで掘り込んだリセス（凹）部に電子ビーム露光法でゲート長0.18μメートルと微細なＴ型ゲートを形成。140Ｇヘルツの高い動作周波数を実現した。 これらによりＦＥＴ内での寄生抵抗を大幅に低減し、サファイア基板上のＧａＮ系トランジスターで世界最高の高周波、低雑音特性を得た。基板も従来のＳｉＣ基板の10分の1の低コストのサファイア基板が使える。 コンタクト抵抗（ソース抵抗）を0.4Ωミリにできたことで、最大動作周波数140Ｇヘルツ、雑音指数0.7ｄＢ（12Ｇヘルツ）、増幅率15ｄＢ（同）と、サファイア基板上のＧａＮ系トランジスターで世界最高の高周波特性を実現した。 |
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