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512MビットDDR型SDRAM 
サムスン電子は9日、90ナノメートル（ｎｍ）のプロセス技術による512Ｍビット容量のＤＤＲ型ＳＤＲＡＭの量産を近く開始すると発表した。現在は主要チップセットメーカーにより検証中という。 同社は昨年、90ｎｍによる技術で2ＧビットのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを生産開始、今回はこのフラッシュメモリーに次ぐ技術的快挙としている。 90ｎｍによる512ＭビットのＤＤＲ型ＳＤＲＡＭは2.5Ｖの電圧で、動作周波数は400Ｍヘルツと333Ｍヘルツ。 同社のデザインプロセス技術は0.1マイクロメートルから90ｎｍへと移行しており、90ｎｍだと0.1マイクロメートルと比較して40％も生産性が向上すると、同社は説明している。 同社は回路の超微細化を実現するために、短い波長の光源としてフッ化アルゴン（ＡｒＦ）を採用したほか、独自の3次元（３Ｄ）トランジスター回路技術やＲＣＡＴ（リセス・チャンネル・アレイトランジスター）を使った。 米調査会社ガートナーによると、ＤＲＡＭ製品は512Ｍ容量に移行、同容量のＤＲＡＭは15年には世界で130億ドルに達するという。 |
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