040909_06
DRAMモジュール構築LSI 
ＮＥＣエレクトロニクスは、ＤＤＲ２ ＤＲＡＭを複数個搭載したサーバー用のＤＲＡＭモジュールで、高速なデータ転送と大容量のデータ保存を両立できるＤＲＡＭモジュール構築ＬＳＩ「μＰＤ７２０９００」を製品化、11月上旬からサンプル出荷を開始する。サンプル価格は2,800円（1万個ロット時単価）。量産は2004年度第４四半期を予定しており、量産規模は月100万個を計画している。 新製品は、電子部品規格の標準化を行う米国の業界団体ＪＥＤＥＣが標準化を進めている仕様「アドバンスト・メモリー・バッファ（ＡＭＢ）」に準拠したＬＳＩで、米国インテル社との共同作業により製品化したもの。 ＡＭＢ仕様のＬＳＩ（ＡＭＢ―ＬＳＩ）はＤＲＡＭモジュールに搭載され、ＤＲＡＭモジュール上のＤＤＲ２ ＤＲＡＭとＤＲＡＭモジュール外にありＤＲＡＭモジュールを制御するメモリーコントローラーＬＳＩの仲介をするもので、複数のＤＲＡＭモジュールとメモリーコントローラーＬＳＩを直列につなげるようにする。 これにより高速データ転送を実現した場合にＤＲＡＭモジュールの記憶容量を増大できないという問題が解決でき、これまでの24倍にあたる最大192Ｇビットの大記憶容量と同4倍にあたる40Ｇビット／秒の高速データ通信の2つを両立できるＤＲＡＭモジュール（ＦＢ―ＤＩＭＭ）を実現することが可能になる。 今回のＬＳＩは、同社が長年にわたって培った高速シリアル伝送を実現するコア技術「ＳｅｒＤｅｓ（サーディス）」のノウハウを活用し、最大4.8Ｇビット／秒の広帯域データバス技術の開発により実現した。 なお、同社では7日から米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催中のインテル・デベロッパ・フォーラム（ＩＤＦ）でこのＬＳＩを展示している。 |
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