040901_03(米)インテル

040901_03
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
9月1日	040901_03	(米)インテル	半導体集積回路	メモリ	一般産業用

70MビットSRAM

米インテルは8月30日、65ｎｍ（ナノメートル）のプロセス技術を使い、5億以上のトランジスターを集積した70ＭビットのＳＲＡＭを開発したと発表した。

65ｎｍ技術により、トランジスターのゲート長は35ｎｍになり、90ｎｍのプロセス技術で製造されている現行のトランジスターのゲート長に比べて、約30％の小型化を実現したことになる。またゲート酸化膜の厚さは1.2ｎｍ。8層の銅配線と「ｌｏｗ―ｋ（低誘電率）」の絶縁材料を使用して、チップ内の信号速度の向上とチップの消費電力の低減を実現した。同社は昨年11月、65ｎｍプロセス技術を用いて4ＭビットのＳＲＡＭを開発したが、今回はこの技術により110平方ミリという極超のダイ面積で、完全動作する70ＭビットＳＲＡＭを開発したもの。同ＳＲＡＭはオレゴン州ヒルズボロの同社工場で生産される。