040608_01
パワーMOSFET 
ルネサス テクノロジはこのほど、ノートパソコンなどのパワーマネジメントスイッチやリチウムイオン電池の充放電制御用途向けに低オン抵抗を実現し、耐圧がマイナス30ＶのＰチャンネルパワーＭＯＳＦＥＴ「ＨＡＴ１１２５Ｈ」を開発、8日からサンプル出荷を開始する。税込みサンプル価格は105円。量産は10月から当初月60万個で開始し、2005年10月には月200万個を生産の予定。 新製品は、微細プロセスの採用によるセル構造の高密度化・最適化により、従来品に比べ2.7ミリΩ（ｔｙｐ）と、業界標準のＳＯＰ―８サイズの小型面実装パッケージ品では、業界トップの低オン抵抗を実現している。このため低損失化によるシステムの省電力化、小型化が図れる。 パッケージは、従来品と同様ＳＯＰ―８サイズの小型面実装パッケージＬＦＰＡＫを採用、ワイヤレス構造により、ワイヤに起因する抵抗性分やインダクタンスを極限まで抑えている。 同社では今後、耐圧マイナス20Ｖの製品やゲートドライブ電圧マイナス2.5Ｖの製品、2素子入りのＳＯＰ―８パッケージ製品などのバリエーションを増やし、小型モーター駆動などの幅広い用途に対応していく予定。 |
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