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256MモバイルDRAM 
韓国のサムスン電子は、携帯電話による3次元（３Ｄ）ゲームに必要な帯域幅を提供する256Ｍビット・モバイルＤＲＡＭのサンプル出荷を開始した。量産は今年下半期の予定。同メモリーは携帯電話機だけでなく、消費電力が少ないため電池駆動の機器向け。 今回のメモリー製品は同社が推進しているモバイル同期ＤＲＡＭファミリーの一環。モバイルＤＤＲｘ３２と呼ばれるメモリーは0.1ミクロンのプロセス技術で製造され、帯域幅は毎秒1.0ＧＢ。同社米国子会社サムスン・セミコンダクターの戦略マーケティングディレクター、イワン・グリーンスバーグ氏は「携帯端末による３Ｄゲームは06年までには普通になる。当社のモバイルＤＤＲｘ３２は機器設計者にとって３Ｄゲームの可能性を現実のものにする」と語った。 同社のモバイルＤＲＡＭは通常のＤＲＡＭより消費電力が少なく、携帯電話、ＭＰ３プレヤー、ＰＤＡ（デジタル個人情報端末）などの電池寿命を大幅に伸ばすことになるという。 今回のモバイルＤＤＲｘ３2には統合温度補償自己リフレッシュセンサー（ＴＣＳＲ）、部分アレイ自己リフレッシュ（ＰＡＳＲ）、ディープパワーダウンモード（ＤＰＤ）などの機能が一体化されている。 サムスンのモバイルＤＲＡＭ製品は64Ｍビットから512Ｍビットに至るまでの容量のＳＤＲ（シングルデータレート）とＤＤＲ（ダブルデータレート）型が含まれるほか、マルチチップ・パッケージ（ＭＣＰ）の形状で供給される。 |
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