040422_02FASL

040422_02
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
4月22日	040422_02	FASL	半導体集積回路	メモリ	汎用

フラッシュメモリー

　米ＡＭＤと富士通のフラッシュメモリーの合弁会社ＦＡＳＬ・ＬＬＣ（カリフォルニア州サニーベール）のオースチン（テキサス州）のＦａｂ２５の110ナノメートルフローティング・ゲート技術による量産が、このほど同工場生産量の50％を超えた。今年中ごろには、Ｆａｂ２５から出荷される製品の生産はすべて110ナノメートルテクノロジーになる予定。

同社によると、Ｆａｂ２５における110ナノ技術は、確実な立ち上がりをみせており、歩留まりの向上も計画を上回り、量産時のレベルに達している、という。こうした優れた歩留まりと迅速な量産への移行で、04年における同社の“Ｓｐａｎｓｉｏｎ”フラッシュメモリー生産能力倍増化の実現を目指している。なお、今年下期には、2番目のＦａｂであるＪＶ３へも110ナノメートルテクノロジーの移行が予定されている。