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フラッシュメモリー 
東芝は、需要が拡大している大容量メモリーカード向けに、最先端の90ミクロンプロセスの微細加工技術と多値技術を用いた業界最大容量4ＧビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリー「ＴＣ５８ＮＶＧ２Ｄ４ＢＦＴ００」（サンプル価格＝1万2,000円）を製品化、4月下旬にサンプル出荷を開始する。そして今年第３四半期から月30万個規模で量産を行う。 新製品は、ページサイズの拡張やメモリーセル制御システムの最適化により、従来の多値製品に比べ書き込み速度を約8倍高速化している。 また、4ＧビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを2個積層することで、1パッケージで8Ｇビットの大容量を実現した「ＴＨ５８ＮＶＧ３Ｄ４ＢＦＴ００」（同2万4,000円）を製品化し、5月にサンプル出荷の予定。パッケージは、いずれも48ピンＴＳＯＰ Ｔｙｐｅ�氓ﾅ提供される。 さらに4ＧビットＮＡＮＤ型フラシュメモリーを4個積層した16Ｇビット品も今年第３四半期にサンプル出荷を開始する予定。 生産は、米国サンディスク社との製造合弁会社であるフラッシュビジョン（東芝四日市工場内）で行う。 ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、大容量データを記録するのに適しており、デジタルカメラや多機能携帯電話、半導体メモリーを使用したオーディオ機器向けなどに需要が拡大しており、大容量化が求められている。 |
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