電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
3月30日040330_06 ルネサステクノロジー 半導体集積回路 メモリ 情報家電用

フラッシュメモリー



 ルネサス テクノロジはこのほど、携帯電話やデジタルスチルカメラなどの民生機器へ組み込むデータストレージ用フラッシュメモリーとして、512MビットsuperANDフラッシュメモリーHN29V512Aシリーズを製品化。16ビットバス幅に対応した「HN29V512A0ABP」と8ビットに対応した「HN29V512A1ABP」の2品種を5月からサンプル出荷する。サンプル価格はいずれも2,400円。

superANDフラッシュメモリーは、エラー訂正機能などのメモリー管理機能などをオンチップすることなどにより、システム設計の使い勝手を向上した機器組込み用のAND型フラッシュメモリー。 新製品は、AND型フラッシュメモリーを機器に組み込む際にシステム側で対応していた不良セクタ管理、ウェアレベルリング機能、エラー訂正機能などのメモリー管理機能をチップに内蔵しており、システム設計負担を低減できる。

また、多値かつ高速を実現した同社のAG―AND型フラッシュメモリーのセル技術を採用し、約4Mバイト/秒の書込み速度を実現している。  さらに256MビットsuperANDフラッシュメモリーに対し、2倍の容量を実現しながら回路設計の工夫により、パッケージを256Mビット品と同サイズの小型CSP(10×11.5×1.2ミリメートル)としている。

同社では、今回の3.3V品に加え、低電圧化に対応した1.8V動作品も開発中で今年第3四半期にサンプル出荷の予定。


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